Programação
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Neste trabalho Final cada estudante deverá apresentar as perspectivas para a microeletrônica nos próximas 10 anos. Neste mesmo trabalho é pedido a apresentação de perspectivas e previsões realizadas 10 anos ATRÁS sobre a microeletrônica.
A entrega é voluntária mas os trabalhos entregues valerão 20 % da nota final.
O deadline é 11 de dezembro de 2020.
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Objetivos, regras e calendário da disciplina. Apresentação dos participantes (professor, alunas e alunos)
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Neste arquivo você encontra o calendário das aulas, as regras e os critérios de notas. Ao longo desta página do eDisciplina você encontra os temas de cada aula, relacionado às datas do calendário da disciplina.
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Para esta aula, assista a parte da Vídeo-aula sobre a obtenção de substratos de silício monocristalino. (Entre o momento 7:34 até o fim do video, 22minutos depois)
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3.4 Mb Documento PDF Carregado 19/08/2020 12:01
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Capítulo de livro do Prof. Vitor Baranaukas
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Artigo do Prof Adnei Melges de Andrade sobre a purificação do silício
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Esta video-aula é a GRAVAÇÃO da aula remota ministrada em 28/08/2020 sobre a obtenção de lâminas de silício monocristalino.
00:00 - Explicação final sobre o método Czochralski
07:00 - Fusão Zonal
16:10 - Método NTD de dopagem N do Silício Fusão Zonal
23:00 - Como obter as lâminas
1:03:00 - Explicação do quadro comparativo CZ x FZ
1:19:30 - O que se deve especificar na compra de uma lâmina de Si
1:36:05 - Explicação sobre as Apresentações a serem entregues a cada semana. -
Fazer ua apresentação com tabelas comparativas de preços reais obtidos em fornecedores mundiais para as lâminas de silício:
Por exemplo, diâmetros da Lâmina, para tipos de Obtenção de silício monocristalino (CZ ou FZ), para uma condutividades à sua escolha, para direções cristalográficas diferentes, etc...
Entregar até 04/09/20 à meia-noite.
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Esta vídeo-aula gravada em 16/06/2020 sobre a fotogravação e fabricação de fotomáscaras:.
00:00 - Evolução da Microeletrônica
12:32 - Como fazer uma fotomáscara
14:45 - Desenhando a máscara
18:30 - A ideia de tamanho
19:45 - O Fotoresiste
30:45 - O fotoresiste positivo
34:31 - O foresiste negativo
37:20 - Litografia convencional
40:00 - Fotoresiste x Exposição
44:03 - Propriedades
46:00 - Fabricação de fotomáscaras
1:02:38 - Pattern Generator -
Versão dos slides de 2020
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Esta video-aula é a GRAVAÇÃO da aula remota ministrada em 02/09/2020 sobre a fotogravação das lâminas de silício:
00:00 - Introdução sobre a fotogravação.
05:20 - Sala Limpa e a fotogravação.
07:28 - Como colocar o fotoresiste sobre a lâmina de Si
09:49 - O fotoresiste
15:43 - Características do fotoresiste.
22:37 - Etapa de aplicação e pre-baking.
41:45 - Qual é o papel da fotogravação
51:00 - Etapas da pos-baking
53:18 - Etapas básicas da fotogravação
1:03:00 - método de Lift-off
1:08:00 - Efeito da difração na fotogravação
1:09:30 - Feixe de elétrons na fotogravação
1:12:20 - Interferometria para alinhamento das fotomáscaras
1:14:30 - Trabalho da semana sobre fotogravação. -
Neste trabalho cada aluno individualmente deverá preparar uma apresentação sobre os limites da fotolitografia. Podem ser mostradas as técnicas que estão sendo estudadas, quais as menores dimensões obtidas atualmente, novas maneiras de se fazer uma gravação em microeletrônica. A apresentação deverá ter no mínimo 4 slides (sem considerar a 1a. página) e até 10 slides. Não se esqueça de colocar os artigos e as fontes pesquisadas.
Este trabalho deverá ser enviado até 11/09/20, à meia-noite.
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Na semana de 08 a 11 de setembro de 2020 não teremos aula.
Somente a Tarefa 2 deverá ser entregue no dia 11/09 até a meia-noite.
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Vídeo aula sobre oxidação e dopagem do curso de Microeletrônica da UNIVESP. (24 min)
https://youtu.be/LEf9dgIyLi4
Oxidação Térmica - Início
Dopagem - 12:50 -
Esta video-aula é a GRAVAÇÃO da aula remota sobre a oxidação térmica:
00:00 - Introdução sobre a Oxidação Térmica
02:30 - Papel dos dielétricos na fabricação de CIs
03:10 - Por que as espessuras do óxido é cada vez menor?
05:15 - Perfil do MOSFET e camadas de SiO2
07:00 - Principais usos de um óxido num CI
11:10 - Diferença entre óxidos crescidos e depositados
14:10 - O Forno de Oxidação
27:25 - Importância do perfil de temperaturas do Forno -
Esta video-aula é a GRAVAÇÃO da aula remota sobre a OXIDAÇÃO TÉRMICA:
00:00 - A reação química do processo de crescimento do SiO2
05:00 - Proporção entre camada de óxido e lâmina de silício consumida
10:00 - Cinética de crescimento do SiO2
12:30 - Equação de crescimento do SiO2
17:00 - Taxa linear e parabólico de crescimento do SiO2
23:57 - Tipos de crescimento do ´SiO2
32:00 - Como crescem as camadas de SiO2
33:00 - Difusividades elevadas do Na e H
34:00 - Cálculo da espessura do óxido em função da temperatura
43:00 - Oxidação úmida x seca
47:00 - Coeficiente de segregação
53:00 - Cargas no óxido
58:30 - Influência da direção cristalográfica na oxidação -
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Trecho de uma dissertação de mestrado de 1972 sobre a Oxidação Térmica.
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Esta video-aula é a GRAVAÇÃO da aula remota ministrada em 18/09/2020 sobre a OXIDAÇÃO TÉRMICA:
00:00 - Resumo da aula anterior sobre Oxidação
05:00 - (Slide 28) Qual temperatura escolher para a oxidação?
14:20 - (Slide 33) Influência da dopagem do substrato na oxidação do silício
27:00 - Enunciado do exercício
32:30 - Resolução do exercício
41:20 - O que preciso fazer para dopara uma lâmina?
43:00 - Processos de DOPAGEM.
56:00 - Dopagem do DIFUSÃO TÉRMICA.
1:10:00 - Explicação sobre o que é uma Aula Invertida. -
Esta lista deverá ser resolvida e enviada pelo e-Disciplina até o dia 30/09, à meia-noite.
Arquivo atualizado às 12:20 de 21/09.
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Primeira aula sobre dopagem de silício será focada na Difusão Térmica.
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Vídeo aula sobre dopagem curso de Microeletrônica da UNIVESP a partir de momento 12:53
https://youtu.be/LEf9dgIyLi4
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Slides com material didático sobre dopagem por difusão térmica e implantação iônica
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Trecho de dissertação de mestrado de 1973 sobre difusão de Boro em Silício.
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As aulas sobre dopagem continuam apresentando a Implantação Iônica. Abaixo você encontra os slides da aula e um texto explicando o assunto.
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Texto em português com os principais conceitos relacionados à Implantação Iônica. Texto do Prof. Adnei M. de Andrade.
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Trecho de uma dissertação de Mestrado de 1976 mostrando a concepção e montagem de um Implantador Iônico.
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A prova 1 de PSI 3552 será das 13:15 às 15:45 e envolverá todas as aulas ministradas até esta data.
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Aqui você entrega a sua lista de Exercícios 1 resolvida. Enviar até 30/09 à meia-noite.
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Vídeo aula sobre corrosão (2a parte da vídeo-aula) da disciplina Microeletrônica do curso de Engenharia de Computação da UNIVESP. Vídeo-aula gravada em 2017.
https://youtu.be/-r-OvuZ5AtU
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Na Tarefa 3 todos devem preparar uma apresentação sobre a fabricação de Microeletruturas Eletro-Mecânicas (MEMs), enfatizando as etapas de fabricação das mesmas.
Apresentar pelo menos dois artigos diferentes sobre o tema.
A tarefa deverá ser entregue até às 12hs do dia 07/10.
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Vídeo aula sobre o local onde os circuitos integrados são fabricados, as chamadas Salas Limpas.
https://youtu.be/ykpxLw431V8
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Nas vídeo-aulas estão duas apresentações dos alunos sobre MEMs (T3) e corrosão.
00:00 - Comentário sobre a corrosão úmida e os MEMs
03:00 - Apresentação de Andrei sobre MEMs
07:46 - Apresentação de Maria Fernanda sobre MEMs.
13:00 - Comentários do professor sobre os MEMs
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Vídeo aula sobre Deposição (1a parte da vídeo-aula) da disciplina Microeletrônica do curso de Engenharia de Computação da UNIVESP. Vídeo-aula gravada em 2017.
https://youtu.be/-r-OvuZ5AtU
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2.3 Mb Documento PDF Carregado 14/10/2020 22:57
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Nesta tarefa cada aluno(a) deverá enviar um arquivo Power Point (PPT) de até 6 slides (sem contar a 1a página com o nome do aluno(a)) com uma apresentação sobre a obtenção de um dielétrico classificado como High-K. A apresentação deve indicar o material que foi depositado, a técnica utilizada (com uma curta descrição da técnica) e as principais características do material (como espessura, constante dielétrica, etc..).
O PRAZO DESTA TAREFA É 21/10/2020.
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00:00 - Apresentação de Guilherme
11:27 - Apresentação de Leandro
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Vídeo aula sobre Epitaxia (1a parte da vídeo-aula) da disciplina Microeletrônica do curso de Engenharia de Computação da UNIVESP. Vídeo-aula gravada em 2017.
https://youtu.be/VXIJkRdT630
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A Tarefa 5 consiste em fazer uma apresentação sobre a deposição de metais via CVD. Pode ser qualquer metal e para qualquer aplicação, de microeletrônica ou não
Enviar esta tarefa até o dia 28/10/2020 ao meio-dia.
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00:00 Reatores
02:21 Dopagem
05:20 Autodopagem -
00:00 Cinética de crescimento
04:30 Dependência da Temperatura
05:50 Geração de Defeitos
07:20 Tipos de defeitos -
00:00 Molecular beam epitaxy
09:02 Silício policristalino
13:02 resumo
17:00 Considerações finais
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Vídeo aula sobre Interconexões (2a parte da vídeo-aula) da disciplina Microeletrônica do curso de Engenharia de Computação da UNIVESP. Vídeo-aula gravada em 2017.
https://youtu.be/VXIJkRdT630
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12.2 Mb Documento PDF Carregado 19/08/2020 12:01
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Nesta aula teremos uma Live com Walter Gonçalez Filho, POLI SE 2017 e Mestrado em Microeletrônica 2020. Ele está atualmente em Leuven, Bélgica, fazendo doutorado no IMEC (https://www.imec-int.com/en) e vai contar como está sendo a sua pesquisa e o seu dia a dia num Centro de Pesquisa Internacional.
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O dia do Funcionário Público foi transferido do dia 28/10 para o dia 30/10.
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Nesta vídeo-aula são apresentados descrições etapa a etapa de um processo de fabricação de transistores CMOS
https://youtu.be/tU4Tr5s_DyY
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A Lista de exercícios 2 para estudo para a P2. A entrega NÃO é obrigatória! Poderá substituir algum trabalho não entregue SE entregue até o dia 16/11/2020.
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A Tarefa 6 consiste em fazer uma apresentação sobre a deposição e/ou utilização do Cobre em microeletrônica.
Enviar esta tarefa até o dia 16/11/2020 ao meio-dia.
A realização desta Tarefa é OPCIONAL e substituirá outra tarefa não feita ou entregue depois de 10 dias (quando vale somente 50% da nota)
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Um panorama sobre a tecnologia envolvendo a Eletrônica Orgânica.
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Enviar a tarefa 7 até o dia 16/11/2020.
Esta apresentação deverá tratar de alguma técnica relacionada à soft lithography. Esta tecnologia surgiu para ser uma alternativa para a eletrônica inorgânica mas, deu muito mais certo quando aplicada à eletrônica orgânica. Nesta tarefa pesquisem como a soft lithography está sendo aplicada à eletrônica orgânica.
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Nesta aula teremos uma Live com o Prof. Nelson Liebentritt de Almeida Braga, diretamente de San Diego, Califórnia. O Prof. Nelson é politécnico (Eng Eletrônica, 86), com mestrado na Poli em 1989. Foi professor do PSI até ser convidado a trabalhar em microeletrônica na Califórnia anos atrás.
Ele vai contar a sua trajetória profissional, o seu trabalho, a sua visão da microeletrônica atual e responder às perguntas de todos.
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Nesta aula foram resolvidos os exercícios da Lista 2.
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A segunda prova será realizada no dia 18/11 das 13:15 às 16:00 pelo eDisciplinas. Devido às características da disciplina, toda a matéria será envolvida nesta avaliação.
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Os alunos que necessitam de uma Prova Substitutiva devem enviar uma mensagem neste item e, acrescentar os motivos (que relacionados à sua saúde) que justificam a participação na Psub.
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