Programação
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PSI - 1o Curso de Nanolitografia Eletronica do PSI/EPUSP
Dra. Mariana Pojar
Prof. Dr. Antônio Carlos Seabra1o. Semestre de 2015
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OBJETIVO: Transferência de estruturas para uma amostra que já tenha material depositado pelo uso de resiste negativo
ROTEIRO A SER REALIZADO:
- Discussão sobre resistes positivos e negativos de e-beam.
- Colocação de resiste negativo SNR 200 sobre SiO2
- Introdução ao Proxy e 1ª exposição do SNR para verificação de dose.
- Pós baking e Revelação na sala limpa, observação no Microscópio Óptico.
- 2ª exposição das estruturas desejadas no proxy mediante conhecimento da dose certa
- Transferência das estruturas para o substrato fazendo o etching por plasma.
- Remoção do resites negativo. Nova observação da amostra no Microscópio Óptico.Metas adicionais: como desenhar suas estruturas no proxy;
compreender efeitos de proximidade.
mostrar e discutir resultados obtidos com resiste negativo ANR (linhas de 30- 40nm) -
OBJETIVO: definir estruturas sobre um substrato novo mediante uso de resistes positivos (PMGI e PMMA)
ROTEIRO A SER REALIZADO:
- Discussão sobre resistes positivos de e-beam (uso de bilayers).
- Colocação de resiste PMGI e PMMA na sala limpa
- 1ª exposição do proxy no PMMA para verificação de dose.
- Revelação da exposição na sala limpa, observação no Microscópio Óptico.
- 2ª exposição das estruturas desejadas mediante conhecimento da dose certa
- Deposição de filme fino (alumínio) no PSI ou no IFUSP
- Remoção dos resistes positivos.
- Processo de Lift-off. Nova observação da amostra no Microscópio Óptico.
Metas adicionais: discutir promotores de aderência
apresentação de processos já realizados sobre processos de alinhamentos de duas ou
mais layers. -
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