Programação
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Objetivos, regras e calendário da disciplina. Apresentação dos participantes (professor, alunas e alunos).
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524.7 Kb Documento PDF Carregado 21/03/2023 01:02
Neste arquivo você encontra o calendário das aulas, as regras e os critérios de notas. Ao longo desta página do eDisciplina você encontra os temas de cada aula, relacionado às datas do calendário da disciplina.
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942.3 Kb Documento PDF
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Esta tarefa consiste em apresentar o tamanho do mercado brasileiro de componentes eletrônicos.
Associe os valores e os números do Brasil com outros países. Analise os resultados e faça comentários.
A tarefa deve ser colocada no eDisciplinas até 28/03 às 12:00.
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O vídeo acima é um resumo sobre o tema a ser dado nas próximas aulas. A parte da Vídeo-aula sobre a obtenção de substratos de silício monocristalino está entre o momento 7:34 até o fim do vídeo, de 22minutos.
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3.4 Mb Documento PDF Carregado 20/03/2023 19:24
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Gravação da aula de PSI 5761 de 08/06/2020 sobre Substratos de silício monocristalino
18:15 - Início da aula,
48:50 - Purificação do Silício,
58:30 - Papel da semente,
1:01:00 Processo Czochralski. -
Esta video-aula é a GRAVAÇÃO da aula remota ministrada em 28/08/2020 sobre a obtenção de lâminas de silício monocristalino.
00:00 - Explicação final sobre o método Czochralski
07:00 - Fusão Zonal
16:10 - Método NTD de dopagem N do Silício Fusão Zonal
23:00 - Como obter as lâminas
1:03:00 - Explicação do quadro comparativo CZ x FZ
1:19:30 - O que se deve especificar na compra de uma lâmina de Si
1:36:05 - Explicação sobre as Apresentações a serem entregues a cada semana. -
Baseado nas explicações sobre as características das lâminas (video substratos Parte 2 no momento 1:19:00), faça uma apresentação com tabelas comparativas de preços reais obtidos, em fornecedores mundiais para as lâminas de silício:
Por exemplo, diâmetros da Lâmina, para tipos de Obtenção de silício monocristalino (CZ ou FZ), para condutividades à sua escolha, etc...
Entregar até 30/03/23 às 23:59.
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Capítulo de livro do Prof. Vitor Baranaukas
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Artigo do Prof Adnei Melges de Andrade sobre a purificação do silício
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Esta vídeo-aula gravada em 16/06/2020 sobre a fotogravação e fabricação de fotomáscaras:.
00:00 - Evolução da Microeletrônica
12:32 - Como fazer uma fotomáscara
14:45 - Desenhando a máscara
18:30 - A ideia de tamanho
19:45 - O Fotoresiste
30:45 - O fotoresiste positivo
34:31 - O foresiste negativo
37:20 - Litografia convencional
40:00 - Fotoresiste x Exposição
44:03 - Propriedades
46:00 - Fabricação de fotomáscaras
1:02:38 - Pattern Generator -
Esta vídeo-aula gravada em 16/06/2020 sobre a fotogravação e fabricação de fotomáscaras:.
00:00 - Evolução da Microeletrônica
12:32 - Como fazer uma fotomáscara
14:45 - Desenhando a máscara
18:30 - A ideia de tamanho
19:45 - O Fotoresiste
30:45 - O fotoresiste positivo
34:31 - O foresiste negativo
37:20 - Litografia convencional
40:00 - Fotoresiste x Exposição
44:03 - Propriedades
46:00 - Fabricação de fotomáscaras
1:02:38 - Pattern Generator -
Esta video-aula é a GRAVAÇÃO da aula remota ministrada em 02/09/2020 sobre a fotogravação das lâminas de silício:
00:00 - Introdução sobre a fotogravação.
05:20 - Sala Limpa e a fotogravação.
07:28 - Como colocar o fotoresiste sobre a lâmina de Si
09:49 - O fotoresiste
15:43 - Características do fotoresiste.
22:37 - Etapa de aplicação e pre-baking.
41:45 - Qual é o papel da fotogravação
51:00 - Etapas da pos-baking
53:18 - Etapas básicas da fotogravação
1:03:00 - método de Lift-off
1:08:00 - Efeito da difração na fotogravação
1:09:30 - Feixe de elétrons na fotogravação
1:12:20 - Interferometria para alinhamento das fotomáscaras
1:14:30 - Trabalho da semana sobre fotogravação. -
Neste trabalho cada aluno individualmente deverá preparar uma apresentação sobre os limites da fotolitografia. Podem ser mostradas as técnicas que estão sendo estudadas, quais as menores dimensões obtidas atualmente, novas maneiras de se fazer uma gravação em microeletrônica. A apresentação deverá ter no mínimo 4 slides (sem considerar a 1a. página) e até 10 slides. Não se esqueça de colocar os artigos e as fontes pesquisadas.
Este trabalho deverá ser enviado até 18/04/23, ao meio dia.
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Vídeo aula sobre oxidação do curso de Microeletrônica da UNIVESP. (Do início até 12:50 min)
https://youtu.be/LEf9dgIyLi4
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Trecho de uma dissertação de mestrado de 1972 sobre a Oxidação Térmica.
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A Tarefa 4 é relacionada aos CIs instalados em automóveis.
Escolha uma marca e modelo de automóvel e apresente as seguintes informações:
1) Quantos CIs são instalados no modelo de automóvel escolhido?
2) Cite o fabricante e o modelo de pelo menos 10 destes CIs;
3) Descreva a finalidade destes 10 CIs no automóvel.
A Tarefa deverá ser entregue até 25/04/23 às 13:00. -
Esta video-aula é a GRAVAÇÃO da aula remota sobre a oxidação térmica:
00:00 - Introdução sobre a Oxidação Térmica
02:30 - Papel dos dielétricos na fabricação de CIs
03:10 - Por que as espessuras do óxido é cada vez menor?
05:15 - Perfil do MOSFET e camadas de SiO2
07:00 - Principais usos de um óxido num CI
11:10 - Diferença entre óxidos crescidos e depositados
14:10 - O Forno de Oxidação
27:25 - Importância do perfil de temperaturas do Forno -
Esta video-aula é a GRAVAÇÃO da aula remota sobre a OXIDAÇÃO TÉRMICA:
00:00 - A reação química do processo de crescimento do SiO2
05:00 - Proporção entre camada de óxido e lâmina de silício consumida
10:00 - Cinética de crescimento do SiO2
12:30 - Equação de crescimento do SiO2
17:00 - Taxa linear e parabólico de crescimento do SiO2
23:57 - Tipos de crescimento do ´SiO2
32:00 - Como crescem as camadas de SiO2
33:00 - Difusividades elevadas do Na e H
34:00 - Cálculo da espessura do óxido em função da temperatura
43:00 - Oxidação úmida x seca
47:00 - Coeficiente de segregação
53:00 - Cargas no óxido
58:30 - Influência da direção cristalográfica na oxidação -
O consórcio internacional de semicondutores ISMC, liderado pela Next Orbit Ventures e pela Tower Semiconductor de Israel como parceira, assinou um acordo de Rs 22.900 crore (R$ 15 bilhões) com o governo de Karnataka para estabelecer uma fábrica de chips em 150 acres de terra na Kochanahalli Industrial de Mysuru Área. LEIA MAIS
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Depois de determinar a liquidação da única fábrica de semicondutores da América Latina, o Ceitec, o governo do Brasil avisa que quer atrair alguma multinacional do setor para o país. LEIA MAIS
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Vídeo aula sobre DOPAGEM por:
1) Difusão Térmica de 12:50 a 18:10
2) Implantação Iônica de 18:10 a 24:00https://youtu.be/LEf9dgIyLi4
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Trecho de dissertação de mestrado de 1973 sobre difusão de Boro em Silício.
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Texto em português com os principais conceitos relacionados à Implantação Iônica. Texto do Prof. Adnei M. de Andrade.
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Slides com material didático sobre dopagem por difusão térmica e implantação iônica
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Trecho de uma dissertação de Mestrado de 1976 mostrando a concepção e montagem de um Implantador Iônico.
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Vídeo aula sobre decapagem (2a parte da vídeo-aula) da disciplina Microeletrônica do curso de Engenharia de Computação da UNIVESP. Vídeo-aula gravada em 2017.
https://youtu.be/-r-OvuZ5AtU
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Esta lista deverá ser resolvida e enviada pelo e-Disciplina até o dia 09/05, ao meio-dia.
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Na Tarefa 5 todos devem preparar uma apresentação INDIVIDUAL sobre a fabricação de Microeletruturas Eletro-Mecânicas (MEMs), enfatizando as etapas de fabricação das mesmas.
Apresentar pelo menos dois artigos diferentes sobre o tema.
A tarefa deverá ser entregue até às 12hs do dia 16/05. -
00:00 - Decapagem
04:35 - Parâmetros da Decapagem
05:05 - Seletividade
06:06 - Anisotropia
08:37 - Over Etching
11:00 - Dependência da direção cristalográfica
11:42 - Receitas de decapagem Úmida
13:00 - Decapagem Seca
18:52 - Respostas de perguntas ao vivo
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Nesta aula tirarei as dúvidas sobre a resolução da lista de exercícios e os estudos para a P1.
Também estão algumas gravações extras sobre as etapas vistas até agora.-
00:00 - Diferenças entre Difusão com Fonte Finita e Fonte Infinita
07:21 - Considerações sobre um perfil de dopagem
15:55 - Solubilidade sólida
16:09 - Difusão lateral
26:00 - Implantação Iônica
27:10 - Danos na Implantação Iônica
27:55 - Posição Intersticial X Substitucional
29:20 - Annealing
30:20 - Profundidade x Concentração de dopantes
31:57 - Canalização
33:40 - Perguntas ao vivo -
00:00 - Dopagem
11:27 - Correção do teste sobre Dopagem
34:04 - Dúvidas sobre Decapagem -
00:00 - Comentários
01:36 - Decapagem
01:51 - Seletividade
03:57 - Anisotropia
06:00 - Under e Over etching
06:30 - Influência da direção cristalográfica
12:24 - Vantagens e desvantagens da decapagem úmida
19:15 - Algumas receitas de decapagem úmida
23:47 - Decapagem seca
25:13 - Plasma Etching
28:00 - Reacrtive Ion Etching (RIE)
31:10 - Caracterização do Plasma
32:00 - MEMs
32:50 - SALAS LIMPAS
42:00 - Sobre as partículas numa Sala Limpa
44:20 - Fontes de contaminação de uma Sala Limpa
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Vídeo aula da UNIVESP sobre o local onde os circuitos integrados são fabricados: as chamadas Salas Limpas.
Assista sobre as Salas Limpas nos primeiros 7:25 deste vídeo.https://youtu.be/ykpxLw431V8
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Vídeo aula gravada em 2020
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00:00 - Introdução as Limpezas
05:44 - Efeito da presença de materiais nas soluções de limpeza
14:23 - Efeito do enxague
19:58 - Comparação de limpezas.
21:08 - Centrífuga e equipamentos para a produção e uso de água DI
24:15 - Limpezas de utensílios
28:05 - Receitas de limpezas
36:00 - Remoção do óxido nativo
46:20 - Lista de soluções para limpeza
50:40 - Sobre o consumo de água numa fábrica de CIs -
00:00 - Introdução
02:10 - Pergunta sobre Decapagem
06:47 - Perguntas sobre filtros
08:16 - Pergunta sobre Sala Limpa
14:00 - Campo claro e campo escuro
20:40 - Como seria a decapagem ideal22:40 - SALA LIMPA e filtros
26:40 - Poluição gerada pela fabricação de CIs
34:00 - Sobre Salas Limpas
35:20 - Sala Limpa e fluxo de ar
41:00 - Classes de Salas Limpas
43:00 - Comportamento humano e limpeza49:58 - LIMPEZAS
51:00 - Limpezas principais
53:00 - Efeito adverso das partículas
54:50 - Efeito dos enxagues
1:01:00 - Equipamentos para realizar as limpezas
1:02:00 - Água DI
1:06:10 - A limpeza inicial
1;07:47 - Limpeza para desengordurar
1:09:06 - Sistema contínuo
1:09:25 - Remoção do óxido nativo
1:09:45 - Observações gerais
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Vídeo aula sobre Deposição (1a parte da vídeo-aula) da disciplina Microeletrônica do curso de Engenharia de Computação da UNIVESP. Vídeo-aula gravada em 2017.
https://youtu.be/-r-OvuZ5AtU
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2.3 Mb Documento PDF Carregado 20/03/2023 19:24
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Nesta tarefa cada aluno(a) deverá enviar um arquivo Power Point (PPT) e o link da apresentação sobre a obtenção de um dielétrico classificado como High-K. A apresentação deve indicar o material que foi depositado, a técnica utilizada (com uma curta descrição da técnica) e as principais características do material (como espessura, constante dielétrica, etc..).
O PRAZO DESTA TAREFA É 30/05/2023 ao meio-dia.
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Vídeo aula sobre Epitaxia (1a parte da vídeo-aula) da disciplina Microeletrônica do curso de Engenharia de Computação da UNIVESP. Vídeo-aula gravada em 2017.
https://youtu.be/VXIJkRdT630
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A Tarefa 7 consiste em fazer uma apresentação sobre um dispositivo utilizando camadas epitaxiais. Pode ser qualquer material. Mas é preciso apresentar as características do filme epitaxial (condições de deposição, características do filme, papel da camada no dispositivo). O link do vídeo ou a própria gravação devem ser enviadas junto com o PPT.
Enviar esta tarefa até o dia 06/06/2023 até às 14 hs.
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A Tarefa 8 consiste do link do vídeo ou a própria gravação da apresentação da Tarefa 7 com duração de até 10 min.
Enviar esta tarefa até o dia 06/06/2023 até às 14 hs. -
00:00 Reatores
02:21 Dopagem
05:20 Autodopagem -
00:00 Cinética de crescimento
04:30 Dependência da Temperatura
05:50 Geração de Defeitos
07:20 Tipos de defeitos -
00:00 Molecular beam epitaxy
09:02 Silício policristalino
13:02 resumo
17:00 Considerações finais
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Vídeo aula sobre Interconexões (2a parte da vídeo-aula) da disciplina Microeletrônica do curso de Engenharia de Computação da UNIVESP. Vídeo-aula gravada em 2017.
https://youtu.be/VXIJkRdT630
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279.7 Kb Documento do Word 2007 Carregado 20/03/2023 19:24
A Lista de exercícios 2 deverá entregue ATÉ 13/06/2023
Ela será resolvida e discutida na aula de 13/06/2023. -
A Tarefa 9 consiste em fazer um arquivo PPT sobre a deposição e/ou utilização do Cobre em microeletrônica.
Enviar esta tarefa até o dia 13/06/2023 às 14:00.
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A Tarefa 10 consiste na gravação de até 10 minutos da apresentação relativa às Tarefa 9.
Enviar esta tarefa até o dia 13/06/2023 às 14:00.
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Aula gravada dia 10/11/2021 durante a aula remota para tirar dúvidas sobre Interconexões.
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12.2 Mb Documento PDF Carregado 20/03/2023 19:24
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Um panorama sobre a tecnologia envolvendo a Eletrônica Orgânica. Versão 2
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Nesta aula serão resolvidos os exercícios da Lista 2 e Prova 2
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Nesta vídeo-aula são apresentados descrições etapa a etapa de um processo de fabricação de transistores CMOS
https://youtu.be/tU4Tr5s_DyY
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A Lista 2 pode ser entregue até às 23:00 do dia 14/06.
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Nesta aula teremos uma Live com o Prof. Nelson Liebentritt de Almeida Braga, diretamente de San Diego, Califórnia. O Prof. Nelson é politécnico (Eng Eletrônica, 86), com mestrado na Poli em 1989. Foi professor do PSI até ser convidado a trabalhar em microeletrônica na Califórnia anos atrás.
Ele vai contar a sua trajetória profissional, o seu trabalho, a sua visão da microeletrônica atual e responder às perguntas de todos.