Modelagem e aplicação de transistores bipolares (Bipolar Junction Transistor – BJT) e transistores MOS Metal Oxide Semiconductor) FET (Field Effect Transistor) em circuitos eletrônicos mais complexos (amplificadores multiestágio, conversores, osciladores, etc.). Ênfase especial será dada ao projeto de circuitos, com a aplicação de simuladores eletrônicos do tipo SPICE (Simulated Program with Integrated Circuits Emphasis).